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NP36N055HHE, NP36N055IHE, NP36N055SHE
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-251 (JEITA) / MP-3
2) TO-252 (JEITA) / MP-3Z
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
6.5 ± 0.2
5.0 ± 0.2
2.3 ± 0.2
0.5 ± 0.1
4
4
1
2
3
1.1 ± 0.2
1.1 ± 0.2
1
2
3
0.9 MAX.
0.8 MAX.
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
2.3 TYP.
? 0.1
0.5 + 0.2
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
2.3 TYP.
2.3 TYP.
0.8 TYP.
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
3) TO-252 (JEDEC) / MP-3ZK
6.5 ± 0.2
5.1 TYP.
2.3 ± 0.1
0.5 ± 0.1
4
4.3 MIN.
No Plating
EQUIVALENT CIRCUIT
Drain
1
2
3
No Plating
Gate
Body
Diode
1.14 MAX.
2.3
2.3
0.76 ± 0.12
1. Gate
2. Drain
1.0
0 to 0.25
0.5 ± 0.1
Gate
Protection
Diode
Source
3. Source
4. Fin (Drain)
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated
voltage may be applied to this device.
6
Data Sheet D14152EJ4V0DS
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相关代理商/技术参数
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NP36N10SDE 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
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